-
华体会体育hth-安森美发布垂直氮化镓（GaN）半导体
10月31日，安森美官微宣布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相关应用的功率密度、能效和耐用性树立新标杆。该技术在安森美纽约锡拉丘兹的工厂研发和制造，并已获得涵盖垂直GaN技术的基础工艺、器件设计、制造以及系统创新的130多项全球专利。据介绍，安森美的垂直氮化镓技术采用单芯片设计，可应对1,2
2025-11-28 -
华体会体育hth-盛合晶微科创板IPO获受理 拟募资48亿元
10月30日，上交所官网显示，盛合晶微半导体有限公司（下称“盛合晶微”）科创板IPO审核状态变更为已受理。盛合晶微官网显示，该公司是集成电路晶圆级先进封测企业，起步于先进的12英寸中段硅片加工，并进一步提供晶圆级封装（WLP）和芯粒多芯片集成封装等全流程的先进封测服务，致力于
2025-11-28 -
华体会体育hth-具有超导性能的锗材料制成
一个国际研究团队在最新《自然·纳米技术》发表论文称，他们制备出具有超导性的锗材料，能够在零电阻状态下导电，使电流无损耗地持续流动。在锗中实现超导，为在现有成熟半导体工艺基础上开发可扩展量子器件开辟了新路径。长期以来，科学家一直希望让半导体材料具备超导特性，以提升计算机芯片和太阳能电池的
2025-11-28 -
华体会体育hth-芯德半导体向港交所提交上市申请
据港交所文件，10月31日，江苏芯德半导体科技股份有限公司向港交所提交上市申请书，独家保荐人为华泰国际。资料显示，芯德半导体成立于2020年，作为一家半导体封测技术解决方案提供商，主要从事开发封装设计、提供定制封装产品以及封装产品测试服务。公司按OSAT(委托半导体封装与测试)模式运营，公司将资源集
2025-11-28 -
华体会体育hth-三星加速导入1c DRAM 设备，全力赶上HBM4 量产时程
据《DealSite》报导，三星电子正加速导入10 纳米级第六代（1c）DRAM 设备，目标在明年初启动HBM4 量产，努力追赶已率先与英伟达签署供应合约并进入量产阶段的SK 海力士。业界消息指出，三星近期已在平泽园区（Pyeongtaek）完成第二厂（P2）1c DRAM 设备建置，并同步于第三厂
2025-11-27
